2017年5月23日，科技部高新司發(fā)布《關(guān)于對(duì)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃高新領(lǐng)域煤炭清潔高效利用和新型節(jié)能技術(shù)等9個(gè)重點(diǎn)專項(xiàng)2018年度項(xiàng)目申報(bào)指南建議征求意見的通知》，對(duì)煤炭清潔高效利用和新型節(jié)能技術(shù)、智能電網(wǎng)技術(shù)與裝備、新能源汽車、先進(jìn)軌道交通、地球觀測(cè)與導(dǎo)航、增材制造與激光制造、重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)、材料基因工程關(guān)鍵技術(shù)與支撐平臺(tái)、戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料9個(gè)專項(xiàng)公開征求意見，時(shí)間為2017年5月24日至6月7日。

“重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)”重點(diǎn)專項(xiàng)2018年度項(xiàng)目申報(bào)指南建議

　　為落實(shí)《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》、《中國(guó)制造2025》和《關(guān)于加快推進(jìn)生態(tài)文明建設(shè)的意見》等提出的任務(wù)，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃啟動(dòng)實(shí)施“重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)”重點(diǎn)專項(xiàng)。根據(jù)本重點(diǎn)專項(xiàng)實(shí)施方案的部署，現(xiàn)提出2018年度項(xiàng)目指南建議。

　　本重點(diǎn)專項(xiàng)總目標(biāo)：緊扣我國(guó)科技創(chuàng)新、經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展對(duì)科學(xué)儀器設(shè)備的重大需求，充分考慮我國(guó)現(xiàn)有基礎(chǔ)和能力，在繼承和發(fā)展“十二五”國(guó)家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(xiàng)成果的基礎(chǔ)上，堅(jiān)持政府引導(dǎo)、企業(yè)主導(dǎo)，立足當(dāng)前、著眼長(zhǎng)遠(yuǎn)，整體推進(jìn)、重點(diǎn)突破的原則，以關(guān)鍵核心技術(shù)和部件的自主研發(fā)為突破口，聚焦高端通用科學(xué)儀器設(shè)備和專業(yè)重大科學(xué)儀器設(shè)備的儀器開發(fā)、應(yīng)用開發(fā)、工程化開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化開發(fā)，帶動(dòng)科學(xué)儀器系統(tǒng)集成創(chuàng)新，有效提升我國(guó)科學(xué)儀器設(shè)備行業(yè)整體創(chuàng)新水平與自我裝備能力。通過(guò)本專項(xiàng)的實(shí)施，構(gòu)建“儀器原理驗(yàn)證→關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)(軟硬件)→系統(tǒng)集成→應(yīng)用示范→產(chǎn)業(yè)化”的國(guó)家科學(xué)儀器開發(fā)鏈條，完善產(chǎn)學(xué)研用融合、協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展的成果轉(zhuǎn)化與合作模式，激發(fā)行業(yè)、企業(yè)活力和創(chuàng)造力。強(qiáng)化技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品可靠性、穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)，引入重要用戶應(yīng)用示范、拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，大幅提升我國(guó)科學(xué)儀器行業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力和核心競(jìng)爭(zhēng)力。

　　本專項(xiàng)充分利用國(guó)家科技計(jì)劃(專項(xiàng)、基金)或其他渠道，已取得的相關(guān)檢測(cè)原理、方法、技術(shù)或科研裝置，開展系統(tǒng)集成、應(yīng)用開發(fā)和工程化開發(fā)，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、“皮實(shí)耐用”和功能豐富的重大科學(xué)儀器設(shè)備產(chǎn)品，并服務(wù)科學(xué)研究和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展。本專項(xiàng)按照全鏈條部署、一體化實(shí)施的原則，共設(shè)置了關(guān)鍵核心部件、高端通用科學(xué)儀器和專業(yè)重大科學(xué)儀器3個(gè)任務(wù)方向。專項(xiàng)實(shí)施周期為5年(2016-2020年)。

　　1.核心關(guān)鍵部件開發(fā)與應(yīng)用

　　共性考核指標(biāo)：目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)通過(guò)可靠性測(cè)試和第三方異地測(cè)試，技術(shù)就緒度達(dá)到9級(jí);至少應(yīng)用于2類儀器;明確發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)和軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量;形成批量生產(chǎn)能力，明確項(xiàng)目驗(yàn)收時(shí)銷售數(shù)量和銷售額。

　　1.1 X射線菲涅耳透鏡

　　研究目標(biāo)：開發(fā)X射線菲涅耳透鏡，突破納米尺度微結(jié)構(gòu)的高深寬比加工技術(shù)難題，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在同步輻射、顯微CT、軟X射線成像等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：最外環(huán)寬度≤25nm@500eV，環(huán)高≥200nm@500eV;最外環(huán)寬度≤40nm@9keV，環(huán)高≥700nm@9keV，衍射效率≥1%@9keV;X射線聚焦≤60nm;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.2 S波段高功率速調(diào)管

　　研究目標(biāo)：開發(fā)S波段高功率速調(diào)管，突破高壓電子槍、高功率容量輸出窗口技術(shù)，解決速調(diào)管工作穩(wěn)定性難題，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在高能對(duì)撞機(jī)、同步輻射光源、自由電子激光裝置、輻射成像裝置、輻照加速器等儀器裝置中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：中心頻率2998MHz，帶寬2MHz，最大輸出功率≥50MW，脈沖寬度2μs，脈沖重復(fù)頻率≥50Hz，效率≥45%，增益≥50dB;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.3 太赫茲倍頻器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)太赫茲倍頻器，突破太赫茲倍頻電路設(shè)計(jì)與精密制造技術(shù)，采用國(guó)產(chǎn)倍頻芯片，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在太赫茲信號(hào)發(fā)生器、太赫茲矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、太赫茲安全檢測(cè)儀、太赫茲成像儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：3倍頻輸出頻率范圍0.325THz~0.5THz，最大輸出功率≥-10dBm，倍頻損耗≤20dB;4倍頻輸出頻率范圍0.5THz~0.75THz，最大輸出功率≥-20dBm，倍頻損耗≤25dB;4倍頻輸出頻率范圍0.75THz~1.1THz，最大輸出功率≥-30dBm，倍頻損耗≤30dB;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.4 通用高精度勻場(chǎng)超導(dǎo)磁體

　　研究目標(biāo)：開發(fā)通用高精度勻場(chǎng)超導(dǎo)磁體，突破大口徑超導(dǎo)強(qiáng)磁體加工和高精度勻場(chǎng)設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在量子振蕩檢測(cè)儀、核磁譜儀、磁致冷和強(qiáng)磁場(chǎng)材料處理裝置等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：磁場(chǎng)強(qiáng)度≥18T，孔徑≥60mm，磁場(chǎng)相對(duì)不均勻度≤10-4@直徑10mm內(nèi);磁場(chǎng)不穩(wěn)定度≤10-5/h;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.5 雙曲面線性離子阱

　　研究?jī)?nèi)容：開發(fā)雙曲面線性離子阱，突破雙曲線形電極加工和四電極高精度平行絕緣裝配等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在離子阱質(zhì)譜儀、大型離子反應(yīng)儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：電極長(zhǎng)度≥100mm，雙曲面電極表面粗糙度Ra≤0.1μm，雙曲面線輪廓度≤0.4μm，離子阱綜合幾何精度≤5μm，質(zhì)量范圍50amu~4000amu，相對(duì)質(zhì)量分辨率≤0.5amu;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.6 寬光譜高靈敏電子倍增CCD成像探測(cè)器

　　研究?jī)?nèi)容：開發(fā)寬光譜高靈敏電子倍增CCD成像探測(cè)器，突破高靈敏光生電荷采集結(jié)構(gòu)制備關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在高靈敏度顯微鏡、微光探測(cè)儀、光譜分析儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍260nm~1000nm，像元數(shù)目≥1024×1024，像元尺寸≤13µm ×13µm，倍增增益≥1000，最高信噪比≥45dB，峰值量子效率≥80%，暗電荷≤350e/pixel/s(常溫)，最高輸出幀頻≥10fps;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.7 太赫茲混頻器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)太赫茲混頻器，突破太赫茲混頻電路設(shè)計(jì)與精密制造等關(guān)鍵技術(shù)，采用國(guó)產(chǎn)混頻芯片，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在太赫茲矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、太赫茲頻譜分析儀、太赫茲安全檢測(cè)儀、太赫茲成像儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：2次諧波混頻頻率范圍0.325THz~0.5THz，中頻頻率范圍20MHz~300MHz，變頻損耗≤17dB;4次諧波混頻頻率范圍0.5THz~0.75THz，中頻頻率范圍20MHz~300MHz，變頻損耗≤30dB;4次諧波混頻頻率范圍0.75THz~1.1THz，中頻頻率范圍20MHz~300MHz，變頻損耗≤35dB;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.8 InGaAs探測(cè)器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)InGaAs探測(cè)器，突破單光子信號(hào)探測(cè)芯片設(shè)計(jì)制造關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在近紅外光譜分析儀、近紅外成像儀、光纖光譜分析儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：光譜范圍0.9μm ~1.7μm，平均光子探測(cè)效率≥20%，暗計(jì)數(shù)≤3kcps，暗電流≤0.3nA@擊穿電壓，時(shí)間分辨率≤2ns;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.9 大面積低劑量X射線平板探測(cè)器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)大面積低劑量X射線平板探測(cè)器，突破高速幀率采集、高填充系數(shù)大面積探測(cè)、高效率低劑量探測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在工業(yè)檢測(cè)X射線成像儀、醫(yī)學(xué)X射線成像儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：有效探測(cè)面積≥30cm×30cm，像素尺寸≤150µm，最高幀頻120fps，最低成像劑量≤5nGy，量子檢測(cè)效率≥75% @20µGy，極限分辨率≥3.3Lp/mm;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.10 高分辨耐輻照硅探測(cè)器

　　研究目標(biāo):開發(fā)高分辨率耐輻照硅探測(cè)器，突破離子注入與表面鈍化等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范與產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在X射線衍射儀、高能粒子譜儀和X射線成像譜儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：探測(cè)面積≥5cm×5cm，位置分辨率≤100μm，漏電流密度≤2nA/cm2@耗盡電壓，探測(cè)器工作電壓≥600V，抗輻照指標(biāo)≥1×1015nep/cm2;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.11 高精度高空多參數(shù)監(jiān)測(cè)傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高精度高空溫度、濕度、氣壓和風(fēng)速監(jiān)測(cè)傳感器，突破溫度漂移抑制和高空環(huán)境適應(yīng)性等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在探空儀、災(zāi)害天氣預(yù)警系統(tǒng)等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：溫度測(cè)量范圍-90°C~+50°C，溫度測(cè)量誤差≤0.3°C;相對(duì)濕度測(cè)量范圍0~100%RH，相對(duì)濕度測(cè)量誤差≤5%;氣壓測(cè)量范圍5hPa~1060hPa，氣壓測(cè)量誤差≤1hPa;風(fēng)速測(cè)量范圍3m/s~30m/s，風(fēng)速測(cè)量誤差≤1m/s;功耗≤100mW，傳感器響應(yīng)時(shí)間≤140s;平均故障間隔次數(shù)≥50次。

　　1.12 小型化高精度姿態(tài)傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)小型化高精度姿態(tài)傳感器，突破微型化傳感器芯片及制造工藝一致性等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在工業(yè)機(jī)器人導(dǎo)航儀、無(wú)人裝置姿態(tài)性能檢測(cè)儀和姿態(tài)實(shí)時(shí)校準(zhǔn)儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：姿態(tài)角測(cè)量范圍0-360°，航向姿態(tài)精度≤0.07°@60s，俯仰與橫滾姿態(tài)精度≤0.03°@1σ，傳感器體積≤100cm3，重量≤150g，功耗≤1W;平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　1.13 飛行安全數(shù)據(jù)記錄器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)飛行安全數(shù)據(jù)記錄器，突破多通道快速記錄、抗惡劣環(huán)境、小型化集成等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在機(jī)載航電測(cè)試系統(tǒng)、極端惡劣環(huán)境下飛行器動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備等儀器上的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：采集通道數(shù)≥1000，最高存儲(chǔ)速度≥500MB/s，存儲(chǔ)容量≥256GB，耐高溫?zé)�蝕1200℃@60min;抗沖擊強(qiáng)度≥10000g，持續(xù)時(shí)間5ms;耐海水浸泡≥30天，耐深海壓力≥6000m@24h;體積≤2500cm3，重量≤3.5kg;具有視頻記錄、鏈路記錄、授時(shí)、文件索引管理等功能，符合適航認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn);平均故障間隔時(shí)間≥50000小時(shí)。

　　1.14 高分辨率多功能原子探針

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高分辨率多功能原子探針，突破高耐磨材料制備和納米尺度結(jié)構(gòu)制備工藝的難題，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在原子力顯微鏡、磁力顯微鏡等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：普通探針尖端曲率半徑范圍5nm~1μm，深寬比≥5，彈性常數(shù)范圍0.01N/m~40N/m，加工誤差≤±10%;高分辨探針尖端曲率半徑≤5nm，深寬比≥3;磁性探針曲率半徑≤30nm;電性探針曲率半徑≤30nm;成品率≥90%;使用壽命≥1000幅掃描成像。

　　1.15 高精度微型壓力傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高精度微型壓力傳感器，突破多參量協(xié)同敏感和低殘余應(yīng)力封裝等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在工業(yè)流程監(jiān)控儀、大氣數(shù)據(jù)采集儀、高精度壓力控制儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：壓力測(cè)量范圍0~1MPa，測(cè)量誤差≤0.03%FS，測(cè)量分辨率≤0.02%FS，長(zhǎng)期穩(wěn)定性≤±0.05%FS/年，尺寸≤5mm×5mm×5mm，工作溫度-40℃~+85℃，過(guò)載能力≥2倍FS，抗加速度沖擊≤0.05kPa/g;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.16 高精度加速度傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高精度微型加速度傳感器，突破溫度漂移抑制和工藝一致性等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在航空儀表、微慣性測(cè)量單元等領(lǐng)域儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：量程±50g，分辨率≤5µg，綜合精度≤10µg，輸入軸失準(zhǔn)角≤12µrad，重復(fù)性≤4.5×10-4/年，功耗≤5mW，封裝體積≤φ20mm×12mm,工作溫度范圍-45°C~+85°C，抗沖擊≥250g;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.17 陣列式微型超聲換能器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)陣列式微型超聲換能器，突破大幅面陣列陣元制備關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在超聲成像、流量檢測(cè)、指紋識(shí)別等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：陣列尺寸≤40mm×40mm，陣元數(shù)量≥64×64，工作頻率范圍100kHz~2MHz，空氣中聲壓級(jí)≥75dB(20µPa/V@1m)，波束寬度≤30°，機(jī)械品質(zhì)因數(shù)≥30;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.18 微型風(fēng)速風(fēng)向傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高性能微型風(fēng)速風(fēng)向傳感器，突破閉環(huán)控制和溫度漂移抑制等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在風(fēng)電廠風(fēng)場(chǎng)檢測(cè)儀、野外便攜式氣象檢測(cè)儀、環(huán)境檢測(cè)儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo):風(fēng)速測(cè)量范圍0~60m/s，啟動(dòng)風(fēng)速v≤0.2m/s，風(fēng)速測(cè)量誤差±(0.3+0.03v)m/s;風(fēng)向測(cè)量范圍0~360°，風(fēng)向測(cè)量誤差±2°;功耗≤200mW，封裝體積≤φ50mm×50mm;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.19 高穩(wěn)定寬量程電流傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高穩(wěn)定寬量程電流傳感器，突破大電流高精度檢測(cè)關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品。實(shí)現(xiàn)在核磁共振成像儀、電流標(biāo)準(zhǔn)裝置、高精度電能計(jì)量裝置等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：電流測(cè)量范圍0~10000A;100mA量程指標(biāo)：電流分辨率≤1μAT，線性度≤100ppm，準(zhǔn)確度≤200ppm;600A量程指標(biāo)：電流分辨率≤10μAT，線性度≤1ppm，溫度系數(shù)≤0.1ppm/K，準(zhǔn)確度≤1ppm;10000A量程指標(biāo)：電流分辨率≤50μAT，線性度≤1ppm，溫度系數(shù)≤0.1ppm/K，準(zhǔn)確度≤2ppm;平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　1.20 微型電場(chǎng)傳感器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高性能微型電場(chǎng)傳感器，突破工藝一致性和溫度漂移抑制等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在探空儀、靜電監(jiān)測(cè)與安全防護(hù)系統(tǒng)、雷電預(yù)警系統(tǒng)等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：測(cè)量范圍±120kV/m，分辨力≤0.05kV/m，準(zhǔn)確度≤5%，功耗≤600mW，封裝體積≤φ50mm×80mm，實(shí)現(xiàn)直流、交流電場(chǎng)測(cè)量;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.21 高精度多通道數(shù)據(jù)采集器

　　研究目標(biāo):開發(fā)高精度多通道數(shù)據(jù)采集器，突破高速共享緩存矩陣設(shè)計(jì)和快速實(shí)時(shí)信號(hào)同步處理等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在質(zhì)譜儀、噪聲分析儀、磁場(chǎng)測(cè)試儀、低溫物理參數(shù)測(cè)試儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：通道數(shù)≥64(可擴(kuò)展)，最大采樣率≥204.8kHz，非雜散動(dòng)態(tài)范圍≥120dB，采樣位數(shù)≥24bit，最大電壓范圍±10V，靈敏度50nV，串?dāng)_抑制≥110dB;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.22 高速高精度二維掃描微鏡

　　研究目標(biāo)：開發(fā)高速高精度二維掃描微鏡，突破低應(yīng)力薄膜加工、片上角度檢測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在共聚焦顯微鏡、3D激光掃描儀、微型激光雷達(dá)等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：工作波段800nm~2500nm，繞快軸掃描角度≥40°，掃描諧振頻率≥25kHz;繞慢軸掃描角度≥60°，掃描諧振頻率≥600Hz，指向性掃描時(shí)光線掃描角度≥30°，指向性偏轉(zhuǎn)步進(jìn)精度≤2µrad;抗沖擊≥1200g，實(shí)現(xiàn)對(duì)轉(zhuǎn)角的實(shí)時(shí)檢測(cè);平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　1.23 紫外凸面光柵

　　研究目標(biāo)：開發(fā)紫外波段閃耀凸面光柵，突破光柵槽形精密刻劃關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在紫外超光譜成像儀、紫外多光譜成像儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：工作波長(zhǎng)范圍250nm~400nm，凸面光柵口徑≥55mm，線密度范圍500~700線/mm，曲率半徑≤150mm，光柵衍射效率≥60%;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.24 寬譜段高分辨單色器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)寬譜段高分辨單色器，突破二維色散自動(dòng)定位校正關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在等離子體發(fā)射光譜儀、原子吸收光譜儀、拉曼光譜儀、原子熒光光譜儀等儀器上的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍160nm~1000nm，波長(zhǎng)誤差≤±0.03nm，波長(zhǎng)重復(fù)性≤0.005nm，最小光譜帶寬≤0.009nm@257.610nm;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.25 微型集成掃描光柵微鏡

　　研究目標(biāo)：開發(fā)微型集成掃描光柵微鏡，突破微型掃描光柵設(shè)計(jì)制造、光學(xué)準(zhǔn)直與集成等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范與產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在近紅外光譜儀、熒光光譜儀、共聚焦顯微鏡等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍800nm~2500nm，鏡面面積≥6mm×6mm，衍射效率≥40%，最高掃描頻率≥700Hz，最大掃描角度≥±7°，驅(qū)動(dòng)電壓≤1.5V;平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　1.26 高精度微量加液器

　　研究?jī)?nèi)容：開發(fā)高精度微量加液器，突破高精度旋轉(zhuǎn)閥制造、高精度位移及溫度控制等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在流動(dòng)注射分析儀、液相色譜儀、質(zhì)譜儀、電位滴定儀、固相萃取儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：流量范圍2nL/s~5mL/s，準(zhǔn)確度≤0.3%，重復(fù)精度≤0.2%，最小加液體積≤5nL，加液管容積10µL~100mL，滿足定時(shí)加液、定量加液、變流量加液、超微量加液等多種加液需求，滿足強(qiáng)酸強(qiáng)堿及多種有機(jī)溶劑的使用要求;平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　1.27 快速反應(yīng)分析轉(zhuǎn)化器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)快速反應(yīng)分析轉(zhuǎn)化器，突破秒級(jí)反應(yīng)原位驅(qū)動(dòng)與快速捕捉等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)與質(zhì)譜檢測(cè)器、紅外檢測(cè)器、熱導(dǎo)檢測(cè)器等的聯(lián)用。

　　考核指標(biāo)：最高加熱溫度≥1400℃，溫度控制精度≤0.3%，最高反應(yīng)壓力≥5MPa,在線熱啟動(dòng)時(shí)間≤0.5s,適用的最快反應(yīng)時(shí)間≤1s;平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　1.28 長(zhǎng)行程精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)

　　研究目標(biāo)：開發(fā)長(zhǎng)行程精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)，突破高精度復(fù)合直線運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)和超快直線驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在高通量基因測(cè)序儀、超分辨顯微成像儀、工業(yè)快速檢測(cè)儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：X-Y行程≥150mm，移動(dòng)速度≥1m/s，Z向跳動(dòng)幅度≤±0.4µm，閉環(huán)分辨率≤5nm;Z向行程≥20mm，移動(dòng)速度≥1m/s，X-Y向跳動(dòng)幅度≤±0.2µm，閉環(huán)分辨率≤5nm;非線性度≤0.03%，最大負(fù)載能力≥10kg;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　1.29 寬頻帶同軸步進(jìn)衰減器

　　研究目標(biāo)：開發(fā)寬頻帶同軸步進(jìn)衰減器，突破彈性件熱處理與表面處理工藝、精密微組裝、電磁控制等關(guān)鍵技術(shù)，開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠的產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)源、頻譜分析儀等儀器中的應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：頻率范圍DC~26.5GHz：最大衰減量90dB，步進(jìn)量10dB，駐波比≤1.5，插入損耗≤1.8dB，壽命≥500萬(wàn)次;頻率范圍DC~50GHz：最大衰減量60dB，步進(jìn)量10dB，駐波比≤1.6，插入損耗≤2.5dB,壽命≥200萬(wàn)次;頻率范圍DC~67GHz：最大衰減量50dB，步進(jìn)量10dB，駐波比≤1.7，插入損耗≤3.0dB,壽命≥100萬(wàn)次。

　　2. 高端通用儀器工程化及應(yīng)用開發(fā)

　　共性考核指標(biāo)：目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)通過(guò)可靠性測(cè)試和第三方異地測(cè)試，技術(shù)就緒度不低于8級(jí);至少應(yīng)用于2個(gè)領(lǐng)域或行業(yè);明確發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)和軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量;形成批量生產(chǎn)能力，明確項(xiàng)目驗(yàn)收時(shí)銷售數(shù)量和銷售額。

　　2.1 高精度光熱電位分析儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)石化、材料、能源、食品、藥品、環(huán)保等行業(yè)化學(xué)成分分析需求，突破光度法、熱分析法與電位法綜合分析和高精度高通量滴定等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的高精度光熱電位分析儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)物質(zhì)中離子或基團(tuán)的含量檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：光度分析：光譜范圍≥400nm~700nm，波長(zhǎng)準(zhǔn)確度≤±1nm，吸光度精度≤0.001Abs;熱分析：溫度范圍-10℃~60℃，分辨率≤10-4℃，準(zhǔn)確度≤10-3℃，響應(yīng)速度≤0.3s;電位分析：測(cè)量范圍±2400mV，穩(wěn)定性±0.03mV，分辨率≤0.01mV;滴定通道數(shù)≥4，饋液精度≤1/80000滴定管體積;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　2.2 氣相分子吸收光譜儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)食品、環(huán)保等行業(yè)多種形態(tài)氮和硫的檢測(cè)需求，突破高效連續(xù)反應(yīng)氣化分離、高信噪比檢測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的氣相分子吸收光譜儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)多種形態(tài)氮和硫的自動(dòng)高效檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190nm~400nm，波長(zhǎng)重復(fù)性≤±0.2nm，基線穩(wěn)定性≤±0.0002Abs/30min，單個(gè)樣品氣化和測(cè)量時(shí)間≤3min，測(cè)量精度≤3%;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.3 高精度光聲光譜檢測(cè)儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)電力、核能、石油化工等行業(yè)化學(xué)成分檢測(cè)需求，突破光聲光譜分析、微弱信號(hào)提取與識(shí)別等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的高精度光聲光譜檢測(cè)儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備、石油化工設(shè)備等行業(yè)氣體化學(xué)成分的在線監(jiān)測(cè)和離線檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：光聲光譜范圍3μm~14μm，光聲光譜帶寬≤150nm，光功率≥10W，聲探測(cè)靈敏度≥15mV/Pa;CO、CO2、CH4、C2H4、C2H6的檢測(cè)限≤0.1μL/L，C2H2檢測(cè)限≤0.05μL/L，H2檢測(cè)限≤2μL/L，SO2F2和CF4檢測(cè)限≤1.0μL/L，SO2、H2S、COS檢測(cè)限≤10.0μL/L，上述氣體最高檢測(cè)濃度≥2000μL/L;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　2.4 高靈敏紫外成像儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)電力和鐵路等行業(yè)安全運(yùn)行的電暈放電檢測(cè)需求，突破高靈敏紫外探測(cè)、精準(zhǔn)圖像融合處理、圖像補(bǔ)償與校正等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的高靈敏紫外成像儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)日盲條件下高壓設(shè)備放電位置定位和強(qiáng)度檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：紫外波長(zhǎng)范圍240nm~280nm，靈敏度≤3×10-18W/cm2，電暈探測(cè)靈敏度≤2PC@8m;可見光波長(zhǎng)范圍400nm~780nm，靈敏度≤1Lux;具備自動(dòng)聚焦及增益功能,聚焦范圍2m~無(wú)窮遠(yuǎn);平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　2.5 高速激光共聚焦拉曼光譜成像儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)物理化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、材料工程等領(lǐng)域微區(qū)物質(zhì)化學(xué)結(jié)構(gòu)空間分布探測(cè)與分析的需求，突破低波數(shù)、高分辨、高速光譜成像關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、關(guān)鍵部件國(guó)產(chǎn)化的高速激光共聚焦拉曼光譜成像儀，實(shí)現(xiàn)激光拉曼光譜遠(yuǎn)場(chǎng)掃描探測(cè)與光譜成像。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：探測(cè)光譜范圍200nm~1000nm，激發(fā)波長(zhǎng)覆蓋紫外到近紅外三個(gè)以上波段，拉曼光譜探測(cè)分辨率≤0.7cm-1，低波數(shù)≤50cm-1;圖像橫向分辨率≤200nm，軸向分辨率≤500nm，樣品軸向定焦分辨率≤10nm，成像時(shí)間≤10min@1024×1024;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.6 磁共振腦圖譜測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)腦活動(dòng)無(wú)創(chuàng)高精度測(cè)量的需求，突破高磁場(chǎng)能量密度下腦圖譜精細(xì)繪制等關(guān)鍵技術(shù)，研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的核磁共振腦圖譜測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)腦功能圖像獲取、建模和頻譜分析。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：主磁體磁場(chǎng)強(qiáng)度≥3T，孔徑≤50cm，最低冷頭溫度≤20K，磁體最短長(zhǎng)度≤1.4m，梯度切換率≥200mT/(m·ms-1);腦圖譜重建速度≥8000幀/s，腦圖譜視野范圍≥120°，觸覺腦圖譜繪制分辨率≤1mm，可繪制視覺腦功能區(qū)≥15個(gè)，觸覺腦功能區(qū)≥10個(gè);穩(wěn)定度≤10ppm@連續(xù)工作10小時(shí);平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　2.7 有機(jī)物主元素分析儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)食品、農(nóng)業(yè)、石油化工、地礦等行業(yè)對(duì)有機(jī)化合物中碳、氫、氮、硫、氧元素分析的需求，突破有機(jī)物快速分解、高精度檢測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的有機(jī)物主元素分析儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)物的碳、氫、氮、硫、氧元素高精度定量分析。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：C、H、N、S元素檢測(cè)限≤30ppm，C、H、N、S元素測(cè)量重復(fù)性≤0.4%;O元素檢測(cè)限≤2ppm，O元素測(cè)量重復(fù)性≤0.2%;系統(tǒng)進(jìn)樣量0.05mg~1g;具有全自動(dòng)進(jìn)樣功能;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　2.8 高速網(wǎng)絡(luò)協(xié)議與安全檢測(cè)儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)高速數(shù)據(jù)通信及數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)設(shè)備研發(fā)與運(yùn)行監(jiān)測(cè)需求，突破高速數(shù)字傳輸速率全線速測(cè)試、全協(xié)議多參數(shù)跨層分析、攻擊特征提取及攻擊庫(kù)構(gòu)建等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的高速網(wǎng)絡(luò)協(xié)議與安全測(cè)試儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)高速通信網(wǎng)絡(luò)及設(shè)備2~7層協(xié)議與安全威脅檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：測(cè)量端口線速覆蓋100Mbps~100Gbps;發(fā)送流數(shù)據(jù)量≥1024個(gè)，接收流數(shù)據(jù)量≥2048個(gè);單卡新建TCP連接數(shù)≥80萬(wàn)個(gè)/s，在線TCP連接數(shù)≥1600萬(wàn)個(gè)/s;攻擊檢測(cè)2000種;具有路由協(xié)議、接入?yún)f(xié)議、交換協(xié)議、城域網(wǎng)協(xié)議、數(shù)據(jù)中心協(xié)議以及應(yīng)用層協(xié)議仿真測(cè)試能力;具備應(yīng)用層回放、定時(shí)及時(shí)間同步、網(wǎng)絡(luò)安全威脅檢測(cè)、RFC2544測(cè)試等功能;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。

　　2.9 材料高溫高頻力學(xué)性能原位測(cè)試儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)航空、航天和核工業(yè)等領(lǐng)域材料在高溫高頻載荷作用下性能測(cè)試需求，突破高溫高頻復(fù)雜載荷下材料力學(xué)性能測(cè)試、微觀力學(xué)性能表征等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的材料高溫高頻力學(xué)性能原位測(cè)試儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)高溫環(huán)境復(fù)雜載荷作用下材料拉伸、彎曲、高頻疲勞等靜態(tài)和動(dòng)態(tài)力學(xué)性能原位測(cè)量。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：靜態(tài)拉伸載荷0~25kN，分辨率≤2N，準(zhǔn)確度±1%，變形測(cè)量范圍0~100mm，分辨率≤10μm，準(zhǔn)確度±2%;靜態(tài)彎曲載荷0~10kN，分辨率≤1N，準(zhǔn)確度±1%，變形測(cè)量范圍0~50mm，分辨率≤5μm，準(zhǔn)確度±2%;高頻疲勞交變載荷0~10kN，交變載荷頻率≥20kHz;溫度加載范圍-20℃~1100℃，溫控誤差±5℃;成像放大倍數(shù)500倍~1000倍，應(yīng)變測(cè)量范圍100με~10ε;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.10 微納結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)微納結(jié)構(gòu)與MEMS器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試的需求，突破高信噪比時(shí)空調(diào)制和自動(dòng)調(diào)焦等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的微納結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)與MEMS器件的振動(dòng)頻率、模式模態(tài)等特性測(cè)量分析以及典型缺陷識(shí)別。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：振動(dòng)頻率范圍300Hz~24MHz，相對(duì)頻率分辨率≤0.5%，振動(dòng)位移分辨率≤1nm，速度分辨率≤1mm/s;平臺(tái)掃描范圍≥5mm×5mm，分辨率≤1mm;缺陷識(shí)別準(zhǔn)確率≥90%，具有振動(dòng)模式模態(tài)分析功能;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.11 大型復(fù)雜結(jié)構(gòu)件力學(xué)性能檢測(cè)儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)大型曲軸鍛件、大型齒輪、大型葉片等核心關(guān)鍵部件制造行業(yè)的質(zhì)量控制需求，突破復(fù)雜構(gòu)件力學(xué)性能定量無(wú)損檢測(cè)關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的大型結(jié)構(gòu)件力學(xué)性能檢測(cè)儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)大型復(fù)雜結(jié)構(gòu)件多項(xiàng)力學(xué)性能檢測(cè)與掃查成像。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：檢測(cè)深度0~10mm，檢測(cè)橫向分辨率0.5mm×0.5mm;屈服強(qiáng)度相對(duì)誤差±10%，殘余應(yīng)力誤差±15MPa，硬度及硬化層深度相對(duì)誤差±5%;自動(dòng)化檢測(cè)參數(shù)：最高速度40次/s，重復(fù)定位精度0.1mm;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.12 太赫茲三維層析成像儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)復(fù)合材料三維形貌與內(nèi)部缺陷檢測(cè)的需求，突破太赫茲高分辨率成像、大景深自適應(yīng)聚焦、圖像信息融合與解譯等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的太赫茲三維層析成像儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)材料表面形貌以及內(nèi)部缺陷的三維無(wú)損檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：中心頻率≥0.5THz，調(diào)制時(shí)間≤10µs@90GHz，成像景深≥50cm，成像時(shí)間≤5s@50cm×50cm，穿透深度≥10cm@碳纖維材料，成像分辨率≤0.3mm×0.3mm×1.5mm;平均故障間隔時(shí)間≥4000小時(shí)。

　　2.13 差分高能電子衍射儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)薄膜、異質(zhì)結(jié)、超晶格人工結(jié)構(gòu)制備工藝過(guò)程中的測(cè)試需求，突破寬氣壓高能衍射電子槍和衍射電子氣體散射干擾抑制等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的差分高能電子衍射儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)寬氣壓范圍晶體取向和原子位置等原位實(shí)時(shí)測(cè)試。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：能量范圍15keV~35keV，束流50μA~100μA，束斑直徑50μm~80μm，紋波系數(shù)0.05%，束流穩(wěn)定度系數(shù)0.15%/℃，工作氣壓范圍1×10-8Pa-100Pa，一次實(shí)驗(yàn)采集圖像≥50幅，自動(dòng)焦距調(diào)整響應(yīng)時(shí)間≤5秒，觀測(cè)強(qiáng)度震蕩≥50個(gè)周期;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.14 固態(tài)量子材料自旋信息測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)量子計(jì)算、量子傳感器件所用核心關(guān)鍵材料量子自旋信息測(cè)量及表征需求，突破量子探針制備、量子自旋態(tài)空間形貌表征、自旋態(tài)時(shí)空信息解耦等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的固態(tài)量子材料自旋信息測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)室溫環(huán)境下固態(tài)量子材料自旋信息的高精度測(cè)量。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：樣品尺寸1nm~20μm，自旋保持時(shí)間≥100µs，時(shí)間分辨率≤50ps;自旋空間測(cè)量范圍0.1nm~2μm;自旋空間橫向分辨率≤0.1nm，縱向分辨率≤0.01nm;自旋間力測(cè)量范圍0.2nN~5nN，分辨率≤0.2nN;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.15 低場(chǎng)量子電阻測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo):針對(duì)電阻高準(zhǔn)確度校準(zhǔn)的需要，突破低場(chǎng)量子電阻測(cè)量和計(jì)量傳遞等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的低場(chǎng)量子電阻測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)低磁場(chǎng)、無(wú)需補(bǔ)充液氦低溫條件下可移動(dòng)和不間斷運(yùn)行的高準(zhǔn)確度電阻測(cè)量。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：測(cè)量范圍1Ω~10kΩ，低磁場(chǎng)量子電阻不確定度≤1×10-8，高準(zhǔn)確度電阻傳遞裝置不確定度≤1×10-8，可移動(dòng)式基準(zhǔn)級(jí)低場(chǎng)量子電阻測(cè)量系統(tǒng)的整體不確定度≤2×10-8，所需超導(dǎo)磁體磁感應(yīng)強(qiáng)度≤6T，低溫裝置溫度范圍4.2K~10K;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　2.16 高精度三維螺紋綜合測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)先進(jìn)制造領(lǐng)域螺紋幾何參數(shù)的綜合性檢測(cè)需求，突破內(nèi)外螺紋三維掃描高精度測(cè)頭和三維參數(shù)高效重構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的高精度三維螺紋綜合測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)螺紋全參數(shù)的三維自動(dòng)掃描檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

　　考核指標(biāo)：三維旋轉(zhuǎn)掃描測(cè)量范圍：外螺紋1mm~400mm，內(nèi)螺紋3mm~400mm，分辨率≤0.01μm，徑測(cè)量精度±(4.0+L/200)μm，螺距測(cè)量精度±(0.9+L/200)μm，牙側(cè)角測(cè)量精度±0.03°，空間坐標(biāo)測(cè)量精度±(1.5+L/200)μm;具有表面缺陷自動(dòng)識(shí)別、三維模擬裝配功能，數(shù)據(jù)庫(kù)覆蓋國(guó)內(nèi)外螺紋量規(guī)標(biāo)準(zhǔn)和緊固件標(biāo)準(zhǔn)140份以上，溯源校準(zhǔn)儀器的計(jì)量標(biāo)準(zhǔn)器1套，平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3. 專業(yè)重大科學(xué)儀器開發(fā)及應(yīng)用示范

　　共性考核指標(biāo)：目標(biāo)產(chǎn)品應(yīng)通過(guò)可靠性測(cè)試和第三方異地測(cè)試，技術(shù)就緒度不低于8級(jí);至少應(yīng)用于2個(gè)領(lǐng)域或行業(yè);明確發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)和軟件著作權(quán)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)量;形成批量生產(chǎn)能力，明確項(xiàng)目驗(yàn)收時(shí)銷售數(shù)量和銷售額。

　　3.1 鋼材超聲在線自動(dòng)探傷儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)鋼質(zhì)板材、管材和棒材制備過(guò)程中在線自動(dòng)檢測(cè)與探傷需求，突破多通道非接觸式超聲在線自動(dòng)檢測(cè)及高本底噪聲下信號(hào)有效獲取等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的鋼材超聲在線自動(dòng)探傷儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)鋼材缺陷的自動(dòng)檢測(cè)與報(bào)警。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：鋼板檢測(cè)厚度6mm~100mm，鋼板檢測(cè)寬度1m~6m，鋼板檢測(cè)精度φ3mm平底孔和0.5mm×10mm縱向裂紋，鋼板檢測(cè)線速度≥60m/min，鋼板檢測(cè)誤報(bào)率≤2%，鋼板檢測(cè)漏報(bào)率≤1%;管材檢測(cè)精度20mm×1mm×5%壁厚的內(nèi)外刻槽，管材檢測(cè)線速度≥50m/min;棒材檢測(cè)精度φ2.0mm平底孔@距表面225mm以內(nèi)，棒材檢測(cè)線速度≥30m/min;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.2 水下綜合無(wú)損檢測(cè)儀

　　研究?jī)?nèi)容：針對(duì)核電、海洋資源開采、船舶等水環(huán)境下關(guān)鍵部件的無(wú)損檢測(cè)需求，突破水下零重力綜合無(wú)損檢測(cè)及缺陷定量評(píng)估等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的水下綜合無(wú)損檢測(cè)儀，實(shí)現(xiàn)水環(huán)境下關(guān)鍵部件損傷的超聲、射線和渦流綜合檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：超聲檢測(cè)：通道數(shù)≥32，工作頻率范圍0.2MHz~25MHz，檢測(cè)厚度≥65mm，靈敏度≤10mm×0.2mm×3mm裂紋;射線檢測(cè)：檢測(cè)厚度≥65mm,靈敏度≤φ1.25mm體積性缺陷;渦流檢測(cè)：通道數(shù)≥640，靈敏度≤5mm×0.2mm×1mm裂紋;水下重復(fù)定位精度≤2mm;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.3 機(jī)載地下礦產(chǎn)與水資源探測(cè)儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)地下礦產(chǎn)與水資源等快速探查需求，突破地下礦產(chǎn)和水資源非接觸大范圍快速探測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的機(jī)載地下礦產(chǎn)與水資源探測(cè)儀，開發(fā)相關(guān)數(shù)據(jù)處理與反演解釋軟件，實(shí)現(xiàn)陸地地下資源和人工目標(biāo)體的高效大范圍探測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：最大探地深度≥500m;橫向分辨率≤10m;探測(cè)深度分辨率≤10m(100m深度以內(nèi));可探測(cè)異常體時(shí)間常數(shù)≤50μs(可探測(cè)金屬礦、地下水、地?zé)岬荣Y源分布);可探測(cè)地質(zhì)斷裂和構(gòu)造的空間分布和走向;軟件具備三維電性結(jié)構(gòu)成像、地質(zhì)斷層和構(gòu)造分布實(shí)時(shí)成像與顯示功能;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.4 自組網(wǎng)海洋環(huán)境多參數(shù)測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)近遠(yuǎn)海區(qū)域海底地形地貌全時(shí)域測(cè)繪需求，突破測(cè)繪航行智能同步控制、自主避障航行、多艇協(xié)同管理等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的自組網(wǎng)多參數(shù)海洋環(huán)境地形測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)海底地形地貌和海流剖面高精度動(dòng)態(tài)檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：海底地形測(cè)量：工作頻率≥170Hz時(shí)，斜距量程≥500m，斜距量程分辨率≤2cm;海流剖面測(cè)量：工作頻率≥600kHz，量程≥70m，水流速度測(cè)量準(zhǔn)確度≤水流速度0.3%±0.3cm/s，流速測(cè)量分辨率≤0.1cm/s;實(shí)現(xiàn)超視距無(wú)人自主航行測(cè)量功能，遠(yuǎn)程作業(yè)和控制距離≥30km;具備測(cè)繪和導(dǎo)航同步控制、測(cè)繪數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)自動(dòng)三維拼接、自組網(wǎng)等功能;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.5 深地地質(zhì)結(jié)構(gòu)成像探測(cè)儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)深部礦產(chǎn)和油氣資源探查、重大地質(zhì)災(zāi)害監(jiān)測(cè)等需求，突破勘探深度有限、檢測(cè)靈敏度低、背景干擾復(fù)雜、異常信號(hào)識(shí)別和提取難等關(guān)鍵問題，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的深地地質(zhì)結(jié)構(gòu)成像探測(cè)儀，開發(fā)相關(guān)數(shù)據(jù)處理與反演解釋軟件，實(shí)現(xiàn)地下深部資源探測(cè)與地質(zhì)災(zāi)害監(jiān)測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：最大探地深度≥3000m，地面橫向分辨率≤10m;探測(cè)目標(biāo)X-Y方向尺寸誤差≤5m@1km×1km×1km，Z方向尺寸誤差≤10m@1km×1km×1km，位置定位誤差≤1m;自組織網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)質(zhì)量監(jiān)控，聯(lián)合定性及定量反演;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.6 材料高溫環(huán)境電磁特性測(cè)試儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)航空和航天設(shè)備高溫環(huán)境條件下材料電磁特性測(cè)試評(píng)估，以及電子設(shè)備材料電磁參數(shù)的測(cè)試需求，突破寬頻寬溫測(cè)試夾具設(shè)計(jì)制造與校準(zhǔn)標(biāo)定、超寬帶激勵(lì)信號(hào)發(fā)生與響應(yīng)信號(hào)分析等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的材料高溫環(huán)境電磁特性測(cè)試儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)常溫和高溫環(huán)境電磁材料的復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率等參量的高精度測(cè)試。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：頻率范圍：100kHz~110GHz;動(dòng)態(tài)范圍：120dB(40GHz以內(nèi))、110dB(50GHz以內(nèi))、90dB(110GHz以內(nèi));工作溫度范圍：20℃~1000℃;相對(duì)介電常數(shù)測(cè)試范圍1~100，測(cè)試準(zhǔn)確度±5%;相對(duì)磁導(dǎo)率測(cè)試范圍0.6~10，測(cè)試準(zhǔn)確度±5%;測(cè)量方法：同軸傳輸線法、波導(dǎo)傳輸線法、諧振腔法、自由空間法、探頭法等;可測(cè)材料形態(tài)：塊狀、薄膜、粉末、液體等;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.7 空間電離層環(huán)境層析成像測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)空間天氣監(jiān)測(cè)預(yù)警、地震前兆預(yù)警、空間科學(xué)研究對(duì)空間電離層大范圍、不間斷、高精度測(cè)量需求，突破空間電離層反射、折射和閃爍效應(yīng)檢測(cè)、電離層參數(shù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與成像反演等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的空間電離層環(huán)境層析成像測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電離層總電子含量和電子密度、電離層閃爍等參數(shù)的精確測(cè)量。開展工程化開發(fā)，應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：絕對(duì)總電子含量：測(cè)量范圍0~300TECU，測(cè)量精度≤3TECU;相對(duì)總電子含量：測(cè)量范圍0~300TECU，測(cè)量精度≤0.03TECU;電子密度：測(cè)量范圍106個(gè)電子/m3~1013個(gè)電子/m3，相對(duì)測(cè)量誤差≤15%;閃爍指數(shù)：測(cè)量范圍0~1.5;測(cè)量誤差≤0.1;測(cè)量高度范圍60km~1000km;具備電離層不均勻體參數(shù)反演功能;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.8 氣液兩相流參數(shù)測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)能源、化工等領(lǐng)域?qū)�氣液兩相流的分析測(cè)量需求，突破探測(cè)器設(shè)計(jì)制備、高壓防水密封、多相流層析成像等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的氣液兩相流參數(shù)測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)多相混合物的體積流量、質(zhì)量流量的連續(xù)實(shí)時(shí)檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：含氣率測(cè)量范圍0~100%，氣相測(cè)量最大流量≥1萬(wàn)m3/h，氣相測(cè)量精度≤±2%Rel;液相最大流量≥200m3/h，液相測(cè)量精度≤5%FS;最大工作壓強(qiáng)≥100MPa，空間分辨率≤2mm;平均故障間隔時(shí)間≥10000小時(shí)。

　　3.9 全自動(dòng)核酸單分子檢測(cè)分析儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)低豐度核酸樣本定量檢測(cè)、稀有突變檢測(cè)和核酸標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)標(biāo)定的需求，突破生物樣本低豐度核酸富集、大規(guī)模微液滴生成、原位痕量核酸并行擴(kuò)增、高速熒光檢測(cè)等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的全自動(dòng)核酸單分子檢測(cè)分析儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)靶基因單分子檢測(cè)和變異分析。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：光譜范圍420nm~740nm，圖像動(dòng)態(tài)范圍≥10bit，動(dòng)態(tài)范圍≥5log，檢測(cè)誤差≤5%，突變檢測(cè)靈敏度≤0.001%，微液滴數(shù)量≥5萬(wàn)，多重靶基因檢測(cè)數(shù)量≥6;全自動(dòng)檢測(cè)通量48/96可選;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.10 海洋物性參數(shù)監(jiān)測(cè)儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)深海探測(cè)與海洋氣候多物理參數(shù)檢測(cè)需求，突破海洋多參數(shù)測(cè)量、補(bǔ)償解算、多參量數(shù)據(jù)融合等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的海洋物性參數(shù)監(jiān)測(cè)儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)溫度、壓力、濕度、風(fēng)場(chǎng)、雨量和太陽(yáng)輻射等參量的高精度檢測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：深海測(cè)量：深度測(cè)量范圍0~1000m，精度≤±2% FS;電導(dǎo)率測(cè)量范圍0.2~65 mS/cm，精度≤±0.05 mS/cm;水溫測(cè)量精度≤±0.05℃;流速分辨力≤1.5cm/s。氣候監(jiān)測(cè)：氣壓測(cè)量誤差≤±0.2%FS;濕度測(cè)量范圍0~100%RH，精度≤±2%;風(fēng)速測(cè)量范圍0~70m/s，精度≤0.5m/s;風(fēng)向測(cè)量范圍0~360°，精度≤±3°;雨量測(cè)量范圍0~15mm/min，精度≤0.5mm/min;太陽(yáng)輻射測(cè)量范圍0~2500W/m2，精度≤1.5%FS;氣溫測(cè)量精度≤0.1℃。平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.11 大型設(shè)施撓度非接觸測(cè)量?jī)x

　　研究目標(biāo)：針對(duì)橋梁、高塔、隧道、起重機(jī)械等大型設(shè)施健康監(jiān)測(cè)、安全性評(píng)估及壽命預(yù)測(cè)的需求，突破三維圖像獲取、低質(zhì)量圖像高分辨分析、快速自標(biāo)定等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的大型設(shè)施撓度非接觸測(cè)量?jī)x，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)動(dòng)靜態(tài)三維撓度實(shí)時(shí)非接觸測(cè)量及安全性評(píng)估分析。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：測(cè)量區(qū)域范圍(FOV)0.1m~500m，撓度測(cè)量分辨率(1/100000)FOV，工作距離1m~500m，撓度測(cè)量精度≤±0.02mm (≤10m)、≤±1mm (≤100m)、≤±10mm (≤500m)，撓度測(cè)量采樣頻率≥300Hz;具備自動(dòng)標(biāo)定、實(shí)時(shí)輸出、超限預(yù)警和安全評(píng)估等功能;平均故障間隔時(shí)間≥3000小時(shí)。

　　3.12 寬頻帶高性能電磁信息安全測(cè)試儀

　　研究目標(biāo)：針對(duì)電磁空間安全測(cè)試、重大活動(dòng)和核心要害部位電磁信息安全測(cè)評(píng)、電子信息設(shè)備電磁泄漏信號(hào)測(cè)試等領(lǐng)域的測(cè)試需求，突破電磁泄露信息高靈敏探測(cè)、異常信號(hào)跟蹤監(jiān)測(cè)與特征提取、信息還原與安全評(píng)估等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、質(zhì)量穩(wěn)定可靠、核心部件國(guó)產(chǎn)化的寬頻帶高性能電磁信息安全測(cè)試儀，開發(fā)相關(guān)軟件和數(shù)據(jù)庫(kù)，實(shí)現(xiàn)電磁信息安全評(píng)估、電磁信息泄漏檢測(cè)和竊聽裝置探測(cè)。開展工程化開發(fā)、應(yīng)用示范和產(chǎn)業(yè)化推廣。

　　考核指標(biāo)：頻率范圍9kHz~67GHz，分析帶寬≥500MHz，測(cè)試靈敏度≤-165dBm，掃描速度≥10GHz/s，相位噪聲≤-127dBc/Hz@(載波1GHz，頻偏10kHz)，鏡頻抑制≥70dB;具備全景、頻率、存儲(chǔ)掃描等測(cè)試模式;平均故障間隔時(shí)間≥5000小時(shí)。